1. Widerstandswert der Chip-Leistungsinduktivität

Der Widerstandswert der Leistungsinduktivität eines Chips mit Einzeldrahtwicklung beträgt 90 mΩ

Der Widerstandswert desLeistungsinduktivitätdes zweiadrigen gewickelten Chips beträgt 50m Ω

Durch Vergleich der beiden lässt sich feststellen, dass der DCR (Widerstand) einer Chip-Induktivität mit Einzeldrahtwicklung deutlich höher ist als der einer Chip-Induktivität mit Doppeldrahtwicklung.

Im Allgemeinen gilt: Je kleiner der DCR der Chip-Leistungsinduktivität, desto höher ist der von der Induktivität unterstützte Nennstrom. Daher kann die Chip-Leistungsinduktivität mit Zweidrahtwicklung in Schaltkreisen mit höherem Strom verwendet werden.

2. Temperaturanstiegsstrom der Chip-Leistungsinduktivität

Gemäß den Testdaten im Voraus wird der Temperaturanstiegsstrom der Chip-Leistungsinduktivität mit Einzeldrahtwicklung getestet und die Änderungsrate des 4A-Stroms beträgt 20 % in 5 Minuten

Der Temperaturanstiegsstrom der Chip-Leistungsinduktivität mit Zweidrahtwicklung wurde getestet, und die Änderungsrate des 4A-Stroms betrug 5 % in 5 Minuten

Offensichtlich ist der Temperaturanstiegsstrom der SMT-Leistungsinduktivität mit Zweidrahtwicklung größer als bei der Eindrahtwicklung.

Als Referenzdaten wird der Temperaturanstiegsstrom in den tatsächlichen Ausdruck im Schaltkreis umgewandelt, der an die Schaltkreismutationsumgebung angepasst ist. Die Chip-Leistungsinduktivität mit Zweidrahtwicklung kann mit dem plötzlich hohen Strom umgehen.

3. Fertigungsvergleich von Chip-Leistungsinduktoren

Auf dem Bild ist nicht zu erkennen, wie der Wickelvorgang der beiden Induktoren abläuft.

Chip-Leistungsinduktivität

Durch sorgfältigen Vergleich können wir jedoch feststellen, dass dieLeistungsinduktivitätDie Zweidrahtwicklung ist gleichmäßiger und sorgfältiger als die Eindrahtwicklung. Dies liegt an der Materialauswahl und dem einzigartigen Produktionsprozess der Zweidraht-Chip-Induktivität. Im Vergleich zur Verwendung eines einzelnen Lackdrahts und der vollautomatischen Produktion verwendet die Zweidraht-Chip-Leistungsinduktivität zwei Lackdrähte gleicher Größe. Der halbautomatische Produktionsprozess verbessert das Erscheinungsbild der Zweidraht-Chip-Leistungsinduktivität.