
■ Maßblatt (Einheit: mm)
| Typ | Leistung (W) | A±0,13 | B±0,13 | C±0,25 | d±0,13 | E±0,38 | F±0,39 | L±1,57 | L1±1,57 | L3 | H±0,76 | d1 |
| RX605 | 5 | 11.3 | 12,5 | 1.3 | 2.4 | 16.4 | 8,5 | 28,6 | 15.2 | 8.2 | 1.2 | |
| RX610 | 10 | 14.3 | 15.9 | 2.2 | 2.4 | 20.3 | 10.8 | 35,0 | 19,0 | 10.3 | 2.0 | |
| RX615 | 25 | 18.3 | 19,8 | 2.2 | 3.2 | 27,4 | 13.5 | 49,3 | 27,0 | 13.9 | 2.0 | |
| RX620 | 50 | 39,7 | 21,5 | 2.2 | 3.2 | 28,8 | 15.6 | 70,6 | 50,0 | 15,5 | 2.0 | |
| RX625 | 75A | 39,7 | 21,5 | 2.2 | 3.2 | 28,8 | 15.6 | 93,0 | 72,4 | 15,5 | 2.0 | |
| RX625 | 75B | 93,5 | 66,5 | 17,5 | ||||||||
| RX630 | 100 | 125,0 | 98,0 | 37 | ||||||||
| RX635 | 150 | 162,0 | 135,0 | 55,5 | ||||||||
| RX640 | 200 | 192,0 | 165,0 | 70,5 | ||||||||
| RX645 | 250 | 227,0 | 200,0 | 88 |
* Hinweis: Das 5W-50W-Blatt ist für den Einsatz mit Wärmeableitungsschlitzen auf beiden Seiten des Gehäuses erhältlich
■ Nennleistung \ Widerstandsbereich \ MAX.Spannungsbereich
| TYP | Nennleistung (W) | Durchschlagsfestigkeit (V) | Widerstandsbereich | MAX.Spannungsverhältnis | |
| Induktiv | Nicht-induktiv | ||||
| RX605 | 3(5) | 1000 | 0,1Q-3,6kΩ | 0,5 Q-1 kQ | |
| RX610 | 10(6) | 1000 | 0,1Q-6,2kΩ | 0,5 Q-1,5 kQ | |
| RX615 | 25 (12,5) | 2000 | 0,1Q-16kΩ | 0,5 Ω bis 10 kΩ | 550 V |
| RX620 | 50 (20) | 2000 | 0,1 Q–43 kQ | 0,5Q-20kΩ | 1250 V |
| RX625 | 75A(30) | 2000 | 0,1 Q–56 kQ | 0,1 Ω bis 27 kΩ | 1900 V |
| RX625 | 75B(30) | 2000 | 0,1 Ω bis 56 kΩ | 0,1 Ω bis 27 kΩ | 1900 V |
| RX630 | 100(40) | 2500 | 0,1 kQ bis 75 kQ | 0,1 Ω bis 36 kΩ | 1900 V |
| RX635 | 150(60 | 2500 | 0,1 Q bis 100 kQ | 0,5 Ω bis 47 kΩ | 1900 V |
| RX640 | 200 (80) | 2500 | 0,1 Ω bis 150 kQ | 1,0 Q-75 kQ | 2200 V |
| RX645 | 250 (100) | 2500 | 0,1 Ω bis 180 kΩ | 1,5 Ω bis 90 kΩ | 2200 V |
* Hinweis: Der Leistungsbegriff außerhalb der Klammern stellt die Leistung dar, wenn bei 25 °C eine bestimmte Wärmeableitungsplatte hinzugefügt wird, während der Leistungsbegriff innerhalb der Klammern die Leistung darstellt, wenn bei 25 °C keine Wärmeableitung hinzugefügt wird.
■ Derating-Kurve

Eine Leistungsreduzierung ist erforderlich, um die Einbaufläche des Gehäuses zu verringern und bei hohen Umgebungstemperaturen. Die Kurven ABC gelten für den Betrieb von nicht montierten Transistoren: A-605 B-615 C-620, 625, 630, 640
Leistung basierend auf dem richtigen Kühlkörper wie folgt: Aluminiumgehäuse für 605 und 610
Aluminium-Chassis Tor 615
Aluminium-Chassis für 620, 625, 630, 635, 640, 645 305×305×3,2
■ Leistung
| ARTIKEL | ANFRAGE |
| Lötbarkeit | Mit neuem Lot bedeckt bei 95 % R△≤±(1 % R + 0,05 Ω) |
| Klemmenstärke | 5 W, 10 W, 2,5 kg/25 W, 5 kg, △R ≤ ± (1 % R + 0,05 Ω) |
| Löthut | 275 °C, △R ≤ ± (1 % R + 0,05 Ω) |
| Durchschlagsfestigkeit | ≤10 W 1000 V, 25 W ~ 75 W 2000 V, 100 W – 250 W 2500 V△R≤±(1 %R + 0,05 Ω) |
| Isolationswiderstand | >10000MΩ |
| Thermoschock | -55 °C bis +275 °C, △R ≤ ± (1 % R + 0,05 Ω) |
| Kurzzeitüberlastung | 10xNennleistung 5 Sek. △R≤±(2%R+0,05Q) |
| Feuchtigkeitsbeständigkeit | 40 °C, △R ≤ ± (2 % R + 0,05 Ω) |
| Lebensdauer laden | 1000 h, 25 °C ± 2 °C, △R ≤ ± (5 % R + 0,05 Q) |
| Schock | △R≤±(1%R+0,05Ω) |
| Vibration | △R≤±(1%R+0,05Ω) |
| Temp Kaffee | ±200PPM/℃ |
Widerstandstoleranz ± Prozent F= ±1 % G= ±2 % J= ±5 % K= ±10 %
Sonderwunsch:
Widerstandspräzision auf 1 % erweitern
Widerstand der mittleren Induktivität verfügbar ≤10u H
Temp. Koeffizient: ±30PРM/°C

Wenn Sie an unseren Produkten interessiert sind und weitere Einzelheiten erfahren möchten, hinterlassen Sie bitte hier eine Nachricht. Wir werden Ihnen so schnell wie möglich antworten.
Tel:0086-519-83976620
E-Mail:liujindong@nfdq.cn
Nr. 6, Xinxin Intelligent Industrial Park, Changzhou, Jiangsu
Die Changzhou Southern Electronic Element Factory Co., Ltd. befindet sich in der traditionsreichen Stadt Changzhou in der Provinz Jiangsu. Sie liegt im wirtschaftlich aktivsten Zentrum des Jangtse-Deltas. Die Verkehrsanbindung ist sehr gut. Autobahnen und Schnellbahnen führen durch die Stadt. Shanghai und Nanjing sind in nur eineinhalb Stunden zu erreichen. Von hier aus gelangt man mit dem Flugzeug in die wichtigsten Städte Chinas.
Changzhou Southern Electronic Element Factory Co., Ltd. wurde 1989 gegründet. Nach mehreren Jahren der Entwicklung und Anstrengung hat das Unternehmen investiert und drei Tochterunternehmen eröffnet, in den Städten Yancheng, Huai'an in der Provinz Jiangsu und Lang'xi in der Provinz Anhui.